京大桂ベンチャープラザ技術セミナー 「SiC半導体デバイスとその応用」(12月13日)

2012年11月15日

SiC(Silicon Carbide炭化ケイ素)は、低損失パワーデバイス(電力用半導体素子)として、精力的に研究開発が進められ、近年、従来のSi(シリコン)半導体に代わる小型化・低消費電力化・高効率化が可能な半導体素子、さらにパワーモジュールとして実用化が図られてきた。 

本セミナーは、昨今電力不足によりさらなる省エネが求められる中、今後さらに本格的なパワーエレクトロニクスへの応用が期待されているSiCに関する技術情報について、SiC研究の第一人者である京都大学研究者等より紹介し、中小・ベンチャー企業の新技術開発・新事業展開を促進するため開催する。
 


●日時:平成24年12月13日(木曜)
     15時30分〜17時40分 講演会(15時より受付開始)
     17時45分〜19時     意見交換会(有料)

●プログラム

   15時30分〜17時40分 講演会
                  「SiCパワーデバイスの基礎」 須田淳氏(京都大学准教授)
                  「SiCパワーデバイスの開発と応用」  北畠真氏(パナソニック(株))
                  「SiCパワーデバイスの今後」 松波弘之氏(京都大学名誉教授)
   17時45分〜19時    意見交換会
 

●会場:京大桂ベンチャープラザ南館 会議室
●定員:30名(先着順)
●参加費:講演会無料  意見交換会2000円(当日受付でお支払いください)

●申込: 定員に達しましたので申込みを締め切りました(11月29日)

12月7日(金曜)までにお申込みください(先着順)
 ■当ホームページ お問い合わせフォームの場合
  下記事項を明記の上お申し込みください。
  〔お名前〕〔ふりがな〕〔会社名・所属〕〔E−mail〕〔電話番号・FAX番号〕お問合せ内容欄に〔「京大桂ベンチャープラザ技術セミナー申込」〕〔意見交換会の参加・不参加〕を明記の上、送信してください。

 ■Fax(075-382-1072)の場合
  「参加申込書」に必要事項を明記の上お申し込みください。

●主催:独立行政法人中小企業基盤整備機構近畿本部 京大桂ベンチャープラザ
●後援:京都環境ナノクラスター(財団法人京都高度技術研究所)
●問合せ先:京大桂ベンチャープラザ南館 Tel:075-382-1252
 

チラシ・参加申込書(PDF)

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