研究開発成果集(事業期間 平成18年度~平成20年度)
50/56

47 ナノめっき技術を用いたCSPバンプ技術および 次世代検査技術の開発 プロジェクト参画研究機関 清川メッキ工業株式会社、福井鋲螺株式会社、株式会社秀峰、国立大学法人福井大学、 関東学院大学、福井県工業技術センター 事業管理者 財団法人ふくい産業支援センター ■研究開発の背景・目的 めっき産業の保有しているコア技術のものづくりノウハウと川下産業の半導体産業とを摺り合わせることで海外企業の追随を許さない新しい半導体後工程プロセスを提案することを目的とする。新技術のウエハレベルCSP(WL-CSP)を実現するためには「CSPバンプ技術」と「次世代検査技術」の2つの技術開発が必要である。 ■研究成果の目標 ■研究の目標 ① CSPバンプ技術 本研究開発の特徴は、再配線をオールウエットプロセスのめっきのみで形成させることである。新規の開発課題としては、環境に配慮したホルマリンフリー無電解銅、鉛フリー無電解ニッケル、ポリイミド上への密着向上めっき前処理、短時間にビアを埋め込むためにナノめっきを施した金属微粒子およびレーザを駆使したビアホール形成である。 ② 次世代検査技術 電鋳めっき技術と印刷技術の組み合わせで大量のプローブピンを一度に精度良く生産し、最先端材料のナノダイヤモンドを用いた複合めっき技術により長期安定性に優れた微小プローブを開発し、電子部品実装を応用することにより、検査基板とプローブピンをはんだ接合し、WL-CSPに対応したウエハ一括の検査を実現する。 ■研究成果の概要 CSPバンプ技術の開発を18年度から研究を行い、19年度には6インチウエハでの技術確立ができたため、20年度には8インチウエハにて実施した。その結果、6インチと同じく全パットに未析出がなく、シェア強度も1.0kgf/cmを達成することができた。また、次世代検査技術の開発においては、1,000本のシャフト作製からめっきまで行うことができ、プローブガードの作製にまで至ることができた。 ■研究成果の活用 本研究開発の技術成果はナノテク技術であり、半導体のみならず、燃料電池の電極触媒形成へのめっき技術の応用や、薄膜型が進展する携帯電話などの高精度被膜形成技術にも応用できる。他の次世代ロボットの動作用配線に導電性、耐熱性等を付与するためのめっき技術、電鋳めっき技術を用いたMEMS用金型、アクチュエータ構成部品、内視鏡等の医療機器、車載用機器等に使用される各種センサ(圧電センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ)などの応用製品として期待され、このようなナノテ 図1 CSPバンプ技術 図2 次世代検査技術 図3 再配線めっき 図4 プローブガード

元のページ  ../index.html#50

このブックを見る