研究開発成果集(事業期間 平成18年度~平成20年度)
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18年度採択 18年度採択 14 【事業管理者】 社団法人電子情報技術産業協会 ◎担当者:布川 賢一 ◎所在地:〒100-0004 東京都千代田区大手町1-1-3 大手センタービル ◎TEL:03-5218-1059 ◎FAX:03-5218-1078 ◎E-mail:tsc3@jeita.or.jp ◎URL:http://www.jeita.or.jp/ この研究への お問い合わせ 契約期間:平成18年度~平成20年度 技術区分:電子部品・デバイスの実装 管理番号:18-21 ■研究成果の活用 ① めっき液技術、めっきプロセス技術領域での研究成果の活用 内部応力型ウィスカ、外部応力型ウィスカでの研究成果から、より実際的な試験方法及びこれを用いた目標値が明らかとなり、耐ウィスカ性を付与しためっき液・めっきプロセスの開発指針・手法が明らかとなった。また、メカニズム解明研究から耐ウィスカ性を向上させるには、内部応力型ウィスカには化合物形成挙動の制御が、外部応力型ウィスカには応力の伝搬の制御が大きなポイントで有ることが明らかになった。 これらの成果をもとに、錫・錫合金めっきのそれぞれの特異性を生かしつつ、めっき液・めっきプロセスの両面において実用化の検討を進め、さらに汎用性の高いめっき液・めっきプロセスの早期市場展開の可能性が出てきた。 また、ウィスカの発生・成長の抑制効果のあるめっき液・めっきプロセス技術において日本企業の技術水準は世界の先端的レベルにあるにもかかわらず海外への発信力が弱いため、ウィスカ抑制技術のディファクトを海外企業に握られているのが現状である。そこでこの状況を打破する為に、当プロジェクト活動で得られた成果を踏まえて「錫ウィスカ抑制鉛フリー材料のガイドライン」を作成し、業界規格(JEITA規格)化を図ると共に、そのグローバルスタンダードを目指す。 図3 業界規格『すずウィスカ抑制材料選定の ガイドライン』(案) ② はんだ材料領域での研究成果の活用 はんだウィスカでの研究成果からフラックス中のハロゲン系活性剤が主要なウィスカの発生要因であることが明らかとなった。この成果から、フラックス中のハロゲン系活性剤を制御する事でウィスカ抑制効果のあるはんだ材料の製品開発の可能性が明らかとなった。 ■事業化へ向けた取り組み状況 ■事業化の目標 ① 事業化の為の課題等 今後、これら研究成果を活用した汎用性の高い商品の開発と市場展開が課題となる。 ② 事業化のスケジュール 当プロジェクトに参画した各企業において、各々の企業ベースでの事業化スケジュールが検討されている。

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