F/S支援事業成果集(事業期間 平成20年度)
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HDFITのサンプル試作及び解析結果から基板ピットとチップ側バンプの半田接続が確認できた。このことから基板ピット部へチップ側電極であるスタッドバンプを嵌合し半田により接続するHDFITの基本構造は実現可能であることが今回の試作を通じて示された。半田により接続された嵌合部の断面写真を図2に示す。 図2 HDFIT嵌合部断面 本業務により、前述のような成果物を得ることができたが、これについては、今後、次のとおり市場展開を行う。 今回の市場調査を通じて川下企業のニーズを直接聞く機会を得ることができた。調査結果およびオーソライズされた機関から報告されている技術動向を基にHDFITの実用化開発目標値の設定を試みることができた。川下企業が新規技術やプロセスを採用する第一の根拠はその技術が自社製品に適用可能なレベルであるか否かである。この第一関門がクリアできることが明確となった次のステップでは、信頼性、品質、コスト、生産体制、歩留まり、工完、等、量産を維持できる体制の実現が可能か否かの検証となる。HDFITの実用化に向けては、市場ニーズを踏まえた生産体制を考慮に入れた開発が必要となる。 HDFITの試作結果から得られた実用化に向けての開発課題は、微細ピット部へのクリーム半田塗布方法の確立である。特に、既存のディスペンス方式では技術的に塗布が極めて困難であることが判ったことから新たな塗布方式の開発が必要である。 今回の試作で発生したスタッドバンプ破断の原因として半田溶融、凝固の過程で発生する半田収縮により、本来スタッドバンプにより吸収されるべきせん断応力が過剰な半田塗布により機能せず、チップとスタッドバンプ接続界面に応力が集中し破断に至るメカニズムが考えられる。さらには、フリップチップ・ボンダによるチップ加熱時、ボンドヘッドの熱膨張によるθ方向の変位発生も考えられる。こうした破断メカニズムの検証には半田塗布量の適正化を前提に加熱プロファイル、Zプロファイルの評価を次の開発段階では行う必要がある。 連絡窓口 函館電子株式会社 (担当;伊早坂) 連絡先 tel 0138-41-0100 fax 0138-41-0178 - 2 -

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